Электронно - дырочный переход
Электронно - дырочный переход , р - n - переход - область полупроводника , в которой происходит переход от электронной ( n ) к дырочной (р) электропроводности . Создается введением в полупроводник донорных и акцепторных примесей ( см. Донор в физике , Акцептор ) . Ширина Э.-д. п. обусловлена объемным электрическим зарядом , который возникает на границе р и n - областей. Осн. свойства Э.-д. п. определяются потенциальным барьером для электронов и дырок , который мешает переходу электронов из n в р - , а дырок - из р- в n - область . Внеш. электр . поле изменяет высоту барьера , при этом ток через Э.-д. п. может меняться в широких пределах ( до 10 и раз и более) . При прямых напряжениях (положительный потенциал приложен к р , а отрицательный - к n - области) барьер снижается и происходит инжекция (введение ) электронов в р- и дырок в n - области. При переменном напряжении Э.д.п. имеет комплексное сопротивление , который характеризуется активным сопротивлением и электроемкостью , зависящие от приложенного постоянного напряжения. Ток через Э.-д. п. меняют , создавая вблизи него электроны и дырки освещением , корпускулярными облучением и т.д. Э.-д. п. - осн. элемент полупроводниковых приборов : диодов , транзисторов , солнечных батарей и т.п. . Лет . : Пикус Г. Е. Основы теории полу- проводниковьих приборов . М. , И965 ; Зи С. М. Физика полупроводниковьих приборов . Пер. с англ . М., 1973. ♦ Возвратится на предидущую страницу 
Если вы хотите реально познакомиться с девушкой - заходите сюда: Знакомства для реала Смотрите так же на нашем сайте интересное видео по этой ссылке: Посмотреть видео |
Моя страничка здесь:
Заработок в интернете |
|
|
|
| |